
| Si-1 | シリコンブロックの切断・研磨 |
| 10×10×10mmのブロック切り出し、及び全面鏡面研磨。 | ![]() |
1.切断(ブロック切り出し)![]() アドフィックスでセラミックスマウント台に固定したシリコンを、クリスタルカッター・ノバⅡ型とダイヤモンドブレードCDを使用して10×10×10mmのブロックに切り出す。 水平回転式バイス使用。 |
2.全面研磨![]() 10×10×10mmのブロックに切り出したシリコンをアルコワックス542Mでケンビ65に貼り付け、低周速ドクターラップで鏡面研磨。 強制駆動アーム使用。 |
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1.切断(ブロック切り出し)
【主・使用機器】
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主軸回転数:3,600r/min テーブル送り速度:5mm/min(試料及び砥石に負荷を掛けないよう、低速切断送りとしました。) 加工時間:20min ![]() |
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2.全面研磨
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面出し:ダイヤモンドパッド #400 10min 粗研磨:サーフェス定盤 鋳鉄 ダイヤモンドスラリー9μm水性 10min 中研磨:サーフェス定盤 MF銅 ダイヤモンドスラリー3μm水性 10min 仕上げ研磨:サーフェス定盤 MF錫 ダイヤモンドスラリー1μm水性 10min ※上記各工程を6面それぞれで実施。 |
【補足】



